IPB

Здравствуйте, гость ( Вход | Регистрация )

2 страниц V  < 1 2  
Ответить в данную темуНачать новую тему
Интересные факты, Все что интересно и любопытно всем
samsony1
сообщение 13.08.2025 - 17:23
Сообщение #21


Завсегдатай
Иконка группы

Группа: Модераторы
Пользователь №: 101003
Сообщений: 290
Регистрация: 23.11.2008
Загружено: байт
Скачано: байт
Коэффициент: ---
Спасибо сказали: 410 раз(а)



Битва за нанометры в современной микроэлектронике.

Вопреки широко распространённому заблуждению число нанометров характеризует не размер всего чипа, и даже не размер основного строительного блока чипа — транзистора, а размер наименьшего элемента, который возможно на этом чипе изготовить. Традиционно речь шла о длине затвора транзистора, хотя со временем, по мере уменьшения размеров, стали говорить вообще о любом минимальном размере элемента.

Чем меньше количество нанометров в техпроцессе, тем меньше размеры транзисторов и расстояния между ними. А чем выше плотность транзисторов в чипе, тем выше его производительность. И в этой гонке за производительностью техпроцессы в нанометрах неуклонно снижаются. В первую пятилетку двухтысячных годов в мире доминировали техпроцессы от 130 до 90 нм, во вторую— техпроцессы 65 и 45 нм. Третья пятилетка — это переход на техпроцессы 32, 22 и 14 нм, ну а четвёртая пятилетка — это уже чипы, изготовленные по 10 нм, 7 нм и 5 нм технологиям.

В наше время бал правят ультрасовременные чипы, произведённые по техпроцессам 3 нм на EUV (экстремальный ультрафиолет) фотолитографических машинах.

подробнее - https://dzen.ru/a/aJMllwzUPn-Gp1yJ

______
основная проблема подобной технологии - охлаждение этих сверх малых структур.
наши ученые пошли другим путем - разработки новой технологии создания этих структур.
Перейти в начало страницы
Вставить ник
+Цитировать сообщение

2 страниц V  < 1 2
Ответить в данную темуНачать новую тему
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 



RSS Текстовая версия Сейчас: 16.09.2025 - 18:29