Интересные факты, Все что интересно и любопытно всем |
Здравствуйте, гость ( Вход | Регистрация )
Here You Can Support Our Work and .:LavTeaM:. Services |
![]() ![]() |
Интересные факты, Все что интересно и любопытно всем |
![]()
Сообщение
#21
|
|
![]() Завсегдатай ![]() Группа: Модераторы Пользователь №: 101003 Сообщений: 290 Регистрация: 23.11.2008 Загружено: байт Скачано: байт Коэффициент: --- Спасибо сказали: 410 раз(а) ![]() |
Битва за нанометры в современной микроэлектронике.
Вопреки широко распространённому заблуждению число нанометров характеризует не размер всего чипа, и даже не размер основного строительного блока чипа — транзистора, а размер наименьшего элемента, который возможно на этом чипе изготовить. Традиционно речь шла о длине затвора транзистора, хотя со временем, по мере уменьшения размеров, стали говорить вообще о любом минимальном размере элемента. Чем меньше количество нанометров в техпроцессе, тем меньше размеры транзисторов и расстояния между ними. А чем выше плотность транзисторов в чипе, тем выше его производительность. И в этой гонке за производительностью техпроцессы в нанометрах неуклонно снижаются. В первую пятилетку двухтысячных годов в мире доминировали техпроцессы от 130 до 90 нм, во вторую— техпроцессы 65 и 45 нм. Третья пятилетка — это переход на техпроцессы 32, 22 и 14 нм, ну а четвёртая пятилетка — это уже чипы, изготовленные по 10 нм, 7 нм и 5 нм технологиям. В наше время бал правят ультрасовременные чипы, произведённые по техпроцессам 3 нм на EUV (экстремальный ультрафиолет) фотолитографических машинах. подробнее - https://dzen.ru/a/aJMllwzUPn-Gp1yJ ______ основная проблема подобной технологии - охлаждение этих сверх малых структур. наши ученые пошли другим путем - разработки новой технологии создания этих структур. |
![]() |
|
![]() ![]() |
![]() |
Текстовая версия | Сейчас: 16.09.2025 - 18:29 |